一、核心特性
- 宽输入电压范围
- 支持4.5V至28V输入,兼容多种电源场景(如12V/24V电池系统、USB PD应用等)。
- 内置欠压锁定(UVLO)功能,阈值3.6V(上升沿)至4.0V(下降沿),防止低压误启动。
- 高效驱动能力
- 集成双NMOS功率开关,连续输出电流达2A,峰值电流限制4.2A(顶部开关)和2.6A(底部开关)。
- 同步整流架构无需外部肖特基二极管,典型效率94%(VIN=12V,VOUT=6V,ILED=2A)。
- 固定600kHz开关频率,优化小型电感设计,降低EMI。
- 精准调光与保护
- 支持PWM调光(频率50kHz~80kHz)和模拟调光(EN/DIM引脚控制),调光深度低至1%。
- 多重保护机制:LED短路、热关断(160℃触发,30℃滞后)、输入欠压/过压保护、软启动防浪涌。
- 紧凑设计与兼容性
- SOT23-6封装尺寸4.0×3.0mm,适合高密度PCB布局。
- 仅需少量外围元件:输入电容(推荐≥10μF)、SW端LC滤波(电感+电容)、自举电容(0.1μF)。
二、关键参数详解
参数 | 条件 | 技术值 | 说明 |
---|---|---|---|
输入欠压阈值 | VIN上升 | 3.6~4.0V | UVLO保护,防止低压误启动 |
停机电流(EN=0V) | VEN=0V | <10μA | 超低待机功耗,延长电池寿命 |
反馈参考电压 | DIM=100% | 96~104mV | 高精度电流检测,适配多LED串联 |
开关导阻(典型值) | RDS(ON)=85mΩ | 降低导通损耗,提升效率 | |
热关断阈值 | 160℃(滞后30℃) | 保护芯片免受高温损坏 | |
PWM调光频率范围 | 50kHz~80kHz | 兼容主流调光器设计 |
三、典型应用设计指南
- 电路设计要点
- 输入电容:VIN引脚需并联10μF低ESR电容(如陶瓷电容)和0.1μF高频去耦电容。
- SW端滤波:SW-OUT间需串联电感(典型值10~47μH)和陶瓷电容(≥10μF),滤除开关纹波。
- 自举电容:BST-SW间加0.1μF陶瓷电容,为顶部MOSFET提供栅极驱动电压。
- 调光模式配置
- PWM调光:EN/DIM引脚施加50kHz~80kHz方波信号,占空比1%~100%对应LED亮度线性调节。
- 模拟调光:通过EN/DIM引脚电压(1.5V~VIN)控制输出电流,适合非PWM调光场景。
- 保护功能触发条件
- LED短路保护:SEN引脚直接检测LED串电压,短路时快速关断并进入重启周期。
- 热保护:芯片结温达160℃时关断输出,降温后自动恢复(滞后30℃)。
- 软启动:上电后逐步增加电流,避免输入电压突降。
四、封装与机械特性
项目 | 参数 | 说明 |
---|---|---|
封装类型 | SOT23-6 | 贴片封装,耐高温回流焊接 |
引脚间距 | 0.65mm | 兼容标准SMT工艺 |
工作温度范围 | -40℃~+125℃ | 适用工业级环境 |
存储温度范围 | -55℃~+150℃ | 满足严苛存储条件 |
五、典型应用拓扑
1、HT4123典型应用电路
- 输入端:VIN接4.5~28V电源,GND接地。
- 输出端:SW连接电感(L1)→ LED串 → GND,形成降压回路。
- 反馈端:SEN引脚通过电阻(R1)采样LED电流,设定VSEN=100mV基准。
- 调光控制:EN/DIM引脚接入PWM信号或直流电压,实现亮度调节。
六、优势对比
特性 | HT4123 | 竞品方案 |
---|---|---|
集成度 | 单芯片双MOSFET + 控制逻辑 | 分离器件或多芯片方案 |
调光深度 | 1%~100%线性PWM | 部分方案仅支持模拟调光 |
效率 | 94%(典型) | 依赖外部二极管,效率较低 |
封装尺寸 | 4.0×3.0mm SOT23-6 |
较大封装(如QFN) |