HT4123芯片同步降压型LED驱动器SOT23-6封装

HT4123是集成双NMOS的同步降压型LED驱动器,支持4.5-28V宽输入电压,提供2A连续输出电流,典型效率达94%。其固定600kHz开关频率优化小型电感设计,支持PWM调光(1%-100%深度)及模拟调光,内置UVLO、热关断(160℃)、LED短路等多重保护。采用SOT23-6紧凑封装,仅需少量外围元件,适用于电池供电设备、USB PD及高密度LED照明场景,兼顾高效、可靠性与小型化需求。

一、核心特性

  1. 宽输入电压范围
    • 支持4.5V至28V输入,兼容多种电源场景(如12V/24V电池系统、USB PD应用等)。
    • 内置欠压锁定(UVLO)功能,阈值3.6V(上升沿)至4.0V(下降沿),防止低压误启动。
  2. 高效驱动能力
    • 集成双NMOS功率开关,连续输出电流达2A,峰值电流限制4.2A(顶部开关)和2.6A(底部开关)。
    • 同步整流架构无需外部肖特基二极管,典型效率94%(VIN=12V,VOUT=6V,ILED=2A)。
    • 固定600kHz开关频率,优化小型电感设计,降低EMI。
  3. 精准调光与保护
    • 支持PWM调光(频率50kHz~80kHz)和模拟调光(EN/DIM引脚控制),调光深度低至1%。
    • 多重保护机制:LED短路、热关断(160℃触发,30℃滞后)、输入欠压/过压保护、软启动防浪涌。
  4. 紧凑设计与兼容性
    • SOT23-6封装尺寸4.0×3.0mm,适合高密度PCB布局。
    • 仅需少量外围元件:输入电容(推荐≥10μF)、SW端LC滤波(电感+电容)、自举电容(0.1μF)。

二、关键参数详解

参数 条件 技术值 说明
输入欠压阈值 VIN上升 3.6~4.0V UVLO保护,防止低压误启动
停机电流(EN=0V) VEN=0V <10μA 超低待机功耗,延长电池寿命
反馈参考电压 DIM=100% 96~104mV 高精度电流检测,适配多LED串联
开关导阻(典型值) RDS(ON)=85mΩ 降低导通损耗,提升效率
热关断阈值 160℃(滞后30℃) 保护芯片免受高温损坏
PWM调光频率范围 50kHz~80kHz 兼容主流调光器设计

三、典型应用设计指南

  1. 电路设计要点
    • 输入电容:VIN引脚需并联10μF低ESR电容(如陶瓷电容)和0.1μF高频去耦电容。
    • SW端滤波:SW-OUT间需串联电感(典型值10~47μH)和陶瓷电容(≥10μF),滤除开关纹波。
    • 自举电容:BST-SW间加0.1μF陶瓷电容,为顶部MOSFET提供栅极驱动电压。
  2. 调光模式配置
    • PWM调光:EN/DIM引脚施加50kHz~80kHz方波信号,占空比1%~100%对应LED亮度线性调节。
    • 模拟调光:通过EN/DIM引脚电压(1.5V~VIN)控制输出电流,适合非PWM调光场景。
  3. 保护功能触发条件
    • LED短路保护:SEN引脚直接检测LED串电压,短路时快速关断并进入重启周期。
    • 热保护:芯片结温达160℃时关断输出,降温后自动恢复(滞后30℃)。
    • 软启动:上电后逐步增加电流,避免输入电压突降。

四、封装与机械特性

项目 参数 说明
封装类型 SOT23-6 贴片封装,耐高温回流焊接
引脚间距 0.65mm 兼容标准SMT工艺
工作温度范围 -40℃~+125℃ 适用工业级环境
存储温度范围 -55℃~+150℃ 满足严苛存储条件

五、典型应用拓扑

Ht4123 led驱动芯片管脚图和电路图

1、HT4123典型应用电路

  • 输入端:VIN接4.5~28V电源,GND接地。
  • 输出端:SW连接电感(L1)→ LED串 → GND,形成降压回路。
  • 反馈端:SEN引脚通过电阻(R1)采样LED电流,设定VSEN=100mV基准。
  • 调光控制:EN/DIM引脚接入PWM信号或直流电压,实现亮度调节。

六、优势对比

特性 HT4123 竞品方案
集成度 单芯片双MOSFET + 控制逻辑 分离器件或多芯片方案
调光深度 1%~100%线性PWM 部分方案仅支持模拟调光
效率 94%(典型) 依赖外部二极管,效率较低
封装尺寸 4.0×3.0mm SOT23-6

较大封装(如QFN)

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