HT25Q20D超低功耗2M位串行闪存芯片数据表

HT25Q20D为2M位(256K字节)SPI闪存,支持1.65-3.6V供电,深度掉电电流低至0.3μA,待机功耗仅0.8μA,优化物联网设备续航。双I/O通道(SI/SO)支持x1/x2模式,传输速率最高208Mbps,满足高速数据需求。工业级温度范围(-40°C~+85°C),10万次擦写寿命及20年数据保留,LGA6封装适配微型化设计,广泛应用于汽车电子、5G通信及消费电子等领域。

适用领域:物联网(IoT)、5G通信、汽车电子、计算机设备、消费类电子产品。

1. 核心规格参数

参数 特性描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
IDPD 深度掉电电流 CS#=Vcc,其他输入悬空或接Vcc/GND 0.3 3 µA
ISB 待机电流 CS#=Vcc,其他输入悬空或接Vcc/GND 0.8 3 µA
ICC1 低功耗读取电流(模式03h) f=1MHz, IOUT=0mA 1 1.5 mA
f=33MHz, IOUT=0mA 1.6 2
ICC2 标准读取电流(模式0Bh) f=50MHz, IOUT=0mA 2.2 3 mA
f=85MHz, IOUT=0mA 2.5 3.5
ICC3 编程电流 CS#=Vcc 4 5 mA
ICC4 擦除电流 CS#=Vcc 4 5 mA
ILI 输入漏电流(所有CMOS输入) 1 µA
ILO 输出漏电流(所有CMOS输出) 1 µA
VIL 输入低电压阈值 0.2Vcc V
VIH 输入高电压阈值 0.8Vcc
VOL 输出低电平(IOL=100µA) 0.2Vcc V
VOH 输出高电平(IOH=-100µA) Vcc-0.2

2. 产品特性

存储与接口

  • 存储容量:2M位(256K字节),满足代码存储与数据记录需求。
  • SPI兼容性:支持标准SPI协议,兼容多种通信模式。
  • 双I/O通道:支持SI(输入0)、SO(输出1)双数据通道,实现x1单线或x2双线并行传输。
  • 高速传输:最大时钟频率支持104MHz(单I/O)或208Mbps(双I/O),提升数据吞吐效率。

功耗优化

  • 超低待机功耗:深度掉电模式(IDPD)电流低至0.3µA,待机电流(ISB)仅0.8µA。
  • 宽电压范围:支持1.65V至3.6V供电,适应低功耗场景。

可靠性与耐久性

  • 高耐久性:10万次(100K)擦写循环寿命,20年数据保存期限。
  • 工业级温度范围:-40°C至+85°C,适用于严苛环境。
  • 抗干扰设计:输入输出漏电流均≤1µA,增强噪声免疫能力。

封装与兼容性

  • 紧凑封装:LGA6无引脚封装,节省PCB空间,适配小型化设备。
  • 引脚兼容:与主流SPI闪存引脚排列一致,便于设计迁移。

3. 功能框图描述

HT25Q20D内部集成以下模块:

  1. SPI接口单元:支持CS#选通、SCLK时钟输入、SI/SO双数据通道。
  2. 指令译码逻辑:解析SPI指令,执行读写、擦除、状态寄存器操作。
  3. 存储阵列:256K字节主闪存,支持块擦除与页编程。
  4. 电源管理模块:优化低功耗模式切换(如IDPD、ISB)。
  5. I/O缓冲电路:双向数据通道(SI/SO)支持高速数据传输。

4. 引脚定义与功能说明

引脚名称 引脚号 方向 功能描述
CS# 1 I 芯片使能信号(低电平有效)
SO (IO1) 2 I/O 数据输出通道1(双I/O模式下输出)
NC 3 无连接(需悬空)
VSS 4 电源地
SI (IO0) 5 I/O 数据输入/输出通道0
SCLK 6 I 串行时钟输入
NC 7 无连接(需悬空)
VCC 8 电源正极(1.65V~3.6V)

:NC引脚需保持悬空,避免外部信号干扰。

Ht25q20dl闪存芯片引脚图和功能框图

5. 应用优势

  • 物联网设备:低功耗特性延长电池寿命,小封装适配微型化设计。
  • 汽车电子:宽温范围与高可靠性满足车载环境要求。
  • 工业控制:高速传输支持实时数据存储与读取。
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